TLP测试的部分误差是由探针的接触电阻、连接损耗和不匹配，衰减器衰减倍数不精准，示波器直流偏置以及量程误差导致的。这些误差可以通过短路-开路-负载-稳压（Short-Open-Load-Zener, SOLZ）校准来降低 (参考 ESDA TR5.5-02-08 Transmission Line Pulse Round Robin)。根据需要测量的被测器件（device under test, DUT）特性，以及需要测量的电压、电流范围，可适当选择ES62X-CPW校准板上不同数值的参考器件进行校准。
基板质量高，适用于 TLP/VF-TLP系统晶圆级校准
探针间距范围：40 µm (或 200 µm) 至 3 mm
12种高精度电阻，阻值分别为： 0.1, 0.2, 0.51, 1, 2, 4.99, 10, 20, 49.9, 100, 200 和499 Ω，适用于TLP电流测量通道校准
6种参考齐纳二极管，击穿电压分别为：2.4, 5.1, 10, 20, 33, 和110 V，适用于电压测量通道校准
2种瞬态电压抑制器 (TVS)，作为 TLP/VF-TLP 系统校准后的测量参考
84个开路，84个短路测试结构
TLP测试的部分误差是由探针的接触电阻、连接损耗和不匹配，衰减器衰减倍数不精准，示波器直流偏置以及量程误差导致的。这些误差可以通过短路-开路-负载-稳压（Short-Open-Load-Zener, SOLZ）校准来降低 (参考 ESDA TR5.5-02-08 Transmission Line Pulse Round Robin)。根据需要测量的被测器件（device under test, DUT）特性，以及需要测量的电压、电流范围，可适当选择ES62X-CPW校准板上不同数值的参考器件进行校准。
测试板的基板材质为FR4, 顶层镀金。测试板的探测间距为30 µm 或 150 µm (取决于模块) ，可匹配探针间距为40 µm 至 3 mm。 基板尺寸为30 mm x 30 mm。校准件总高度为2.5 mm（包括参考器件的高度 ）。基片放置在保护壳内。 该校准板有规格说明书。
基片质量高，适用于TLP/VF-TLP系统晶圆级测试校准
探针间距范围：40 µm (或 200 µm) 至 3 mm
12个高精度电阻：0.1, 0.2, 0.51, 1, 2, 4.99, 10, 20, 49.9, 100, 200 和499 Ω，用于校准TLP测试电流测量通道
6个参考齐纳二极管，击穿电压：2.4, 5.1, 10, 20, 33, 和110 V，用于校准电压测量通道
2个瞬态电压抑制器 (TVS) ，作为TLP/VF-TLP 系统校准后的测量参考
84个开路，84个短路测试结构
晶圆级TLP测试SOLZ校准
| 参数 | ES62X-CKW-1 | ES62X-CKW-2 | 单位 | 备注 | |
| 电阻阻值 | 0.1, 0.2, 0.51, 1, 2, 4.99, 10, 20, 49.9, 100, 200, 499 | Ω | 1 % 误差 (共12个) | ||
| 齐纳二极管击穿电压 | 2.4, 5.1, 10, 20, 50, 110 | V | |||
| TVS #1反向击穿电压 | 6 | V | 精确值见校准板 | ||
| TVS #1最大TLP注入电流 | >40 | A | TLP测试脉宽为100 ns | ||
| TVS #2反向击穿电压 | 7.5 ± 1 | V | 精确值见校准板 | ||
| TVS #2最大TLP注入电流 | >100 | A | |||
| 金属表面处理 | 镀金 | NA | |||
| 测试衬垫间距 | 150 (± 25) | 30 (±5) | µm | ||
| 选项 # | 说明 | |
| 1 | ES62X-CKW-1 | 晶圆级TLP测试 SOLZ 校准板, 150 µm 间距, 探针间距可调 |
| 2 | ES62X-CKW-2 | 晶圆级TLP测试 SOLZ 校准板, 30 µm 间距, 探针间距固定 |
可根据客户需求定制